高纯度氧化铝（AO479U）不仅具有优异的耐热性、耐腐蚀性、耐等离子性，而且还实现了低介电正接（tanδ）和高强度的兼顾。本材质，因为介电正接小，能降低高频条件下的功率损失。另外，由于机械强度高，发热和真空时的部件损坏少。因此，由于能够节省人力进行调试，并保证工艺的稳定运行，所以作为半导体制造设备的构件被广泛采用。
特长
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低介电正接与高强度并存高纯度的同时，实现了低介电正接和高强度的兼顾。
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支持广泛的频域在1mhz ~ 8.5GHz频带的广泛频率范围内，介电正接表示低值。
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厚壁产品也有稳定性能40mm左右的厚壁产品也包含厚度方向的中央部分，介电正接显示稳定低值。
加工示例
使用Radio Frequency（高频）的半导体制造设备的绝缘部件
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底盘
Φ400×20t (mm)
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绝缘环
Φ400×50t (mm)
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腔室构成部件
Φ600×20t (mm)
※上述是加工案例。上述以外的尺寸·形状也能对应。请随时咨询。
材料数据比较
与本公司低介电正接、高强度、高纯度氧化铝（AO479U）、本公司传统材料低介电正接氧化铝（AO479Q）以及本公司高纯度氧化铝（AO479M）的主要特性比较
| 材质 材质编号（新标记） 材质编号（旧标记） |
低介电正接、高强度、高纯度氧化铝 | 低介电正接氧化铝 | 高纯度氧化铝 | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AO479U | AO479Q | AO479M | |||||
| A479U | A479Q | A479M | |||||
| 含有量（Al2O3） | ％ | 99.6 | 99.3 | 99.5 | |||
| 机械性能 | 维氏硬度 HV9.807N | GPa | 15.2 | 15.7 | 15.7 | ||
| 3点弯曲强度 | MPa | 380 | 290 | 370 | |||
| 杨氏模量 | GPa | 387 | 377 | 370 | |||
| 热性能 | 平均线膨胀系数 | 40～400℃ | × 10-6/K | 7.2 | 7.0 | 7.2 | |
| 导热率 | 20℃ | W/（m・K） | 32 | 30 | 32 | ||
| 电气性能 | 表面电阻值 | 1MHz | × 10-4 | ※请参照下述，介质正接（tanδ）的测定数据详细。 | |||
| 10-100MHz | |||||||
| 8.5GHz | |||||||
| 体积电阻率 | 20℃ | Ω・cm | > 1014 | > 1014 | > 1014 | ||
详细测量数据
电介质正接（tanδ）
本公司的低介电正接、高强度、高纯度氧化铝（AO479U），在广泛的频率范围内，介电正接表示低值。另外，即使是40mm左右的厚产品，包括产品的中央部分在内，介电正接也显示出稳定的低值。
不同频率、不同材质、不同厚度的介电正切测量
测定方法
将烧好的厚度10 ~ 40mm的产品，从中央附近切出厚度1mm的测试片进行确认。
测量装置
| 1MHz： | C仪表（桥接电路法） |
| 13.56MHz： | 阻抗分析器（高频电流电压法） |
| 8.5GHz： | 网络分析器（腔谐振器法） |
● AO479U（A479U）
● AO479Q（A479Q）
● AO479M（A479M）
强度
本公司低介电正接、高强度、高纯度氧化铝（AO479U）在与传统材料同等的低介电正接的同时，具有超过高纯度氧化铝（AO479M）的高强度。
如果您正在考虑寻找能在耐热性、耐腐蚀性、耐等离子体性的苛刻的环境下具有高强度、低介电正切产品，以及通过降低功率损失实现稳定生产，欢迎前来咨询。
本页记载的数值全部是公司内部测定的代表值，不是产品规格的保证值。