特点
- 低厚度：：与TO-263相比，厚度减少了约60%。
- 高散热化：芯片和外部端子通过Clip连接，扩大背面散热片的面积，实现高散热。
- 兼容性：与TO-263外形设计几乎相同，具兼容性。
- 雪崩保证型SBD也有产品阵容。
与TO-263的大小比较
通过降低厚度，与TO-263相比，厚度减少了约60%。
与TO-263的发热比较
对于10A/30V SBD
通过扩大端子面，进行内部焊锡焊接，提高散热性。
对于30A/30V SBD
与TO-263相比，温升降低了约35~50%，改善了散热性。
数据均由京瓷调查
产品阵容
|
分类 |
型号 |
IO |
VRRM |
VFM@IFM |
IRM@VRRM |
Trr@IFM |
结温保证 |
符合AEC-Q101标准 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
FRD |
10A |
400V |
1.35V |
20μA |
45ns |
-40℃～+150℃ |
Yes |
|
|
20A |
400V |
1.30V |
20μA |
45ns |
-55℃～+175℃ |
Yes |
||
|
20A |
300V |
1.30V |
25μA |
33ns |
- |
|||
|
SBD |
10A |
65V |
0.65V |
0.1mA |
- |
-40℃～+150℃ |
- |
|
|
10A |
80V |
0.69V |
0.1mA |
- |
- |
|||
|
10A |
120V |
0.84V |
0.1mA |
- |
- |
|||
|
20A |
80V |
0.71V |
0.15mA |
- |
Yes |
|||
|
20A |
120V |
0.87V |
0.1mA |
- |
- |
|||
|
30A |
80V |
0.79V |
0.1mA |
- |
- |
|||
|
30A |
120V |
0.90V |
0.1mA |
- |
- |
|||
|
30A |
30V |
0.50V |
1.5mA |
- |
- |
|||
|
10A |
65V |
0.61V |
0.4mA |
- |
- |
|||
|
20A |
45V |
0.54V |
0.6mA |
- |
Yes |
|||
|
30A |
45V |
0.55V |
1.0mA |
- |
- |
|||
|
SBD |
30A |
90V |
0.79V |
0.1mA |
195W |
Yes |
用途
电源供应、工业设备
