半导体零部件
Submounts and Subcarriers
京瓷提供用于光通信模块的半导体激光二极管和光敏二极管的陶瓷底座。氮化铝与氧化铝这两种材料的底座都可以提供。可提供金锡薄膜及制备薄膜电阻工艺的陶瓷Submount，供激光二极管或者光敏二极管贴装用。
注：文中所有数据由京瓷测量。
■氮化铝（AIN）Submount
京瓷可以提供单层与多次氮化铝基板。
多层氮化铝基板有 150W/mK 热导率，电气地线层嵌入到构造中，并有一个精密加工的台阶。
目前单层的氮化铝基板有三种类型：热导率 170,200,230W/mK.
氮化铝具有与磷化铟（InP）及砷化镓（GaAs)相近的热膨胀系数。
■跨阻放大器
京瓷提出了使用低介电损失的氧化铝（Al2O3）多层陶瓷技术的集成载板方案。
采用腔体结构，差分对走线和多地（GND）、通孔设计，可搭载光导波，光敏二极管和跨阻抗放大器（TIA）。
嵌入式载板
1 多层氧化铝陶瓷板(京瓷A473)
低介电正切(21 × 10E-4@60GHz)
2 差分对走线(32Gbps)× 4ch
3 地线通孔
+81-21-58775366-337