半导体零部件
TO 陶瓷封装外壳
京瓷开发了相比传统材料，具有更高热阻，高散热性，高耐压及高载流能力的新型TO 陶瓷封装外壳。我司产品可为新一代功率半导体器件如碳化硅(SiC)提供封装解决方案，其为能量转换应用方面的关键器件。
- TO-254 PKG / TO257 PKG
- TF-TO254 PKG
- TF-TO3P PKG
注释：1.氧化铝陶瓷材料（京瓷A440）
2.电镀选项：Ni 电镀或 Ni+Au 电镀
3.载流能力定义于引线温度最高80℃
4.高温放置及温度循环试验由京瓷进行测试。
5.通过外观检查及耐压测试规格来判定。
作为新型TO陶瓷陶瓷封装我司开发及可提供大规模混合电路封装外壳。
我司可按照您的要求做定制产品。
由大阪大学提供（TF-HB PKG）
TF-HB PKG
・ 图号： GMR-B1372
・ 电镀： Ni+Au
・ 热沉材料： Cu-W(175W/mk)
・ 芯腔底板材料： Cu
・ 引脚材料： Cu
・ 载流能力： 50A max.
・ 耐压(DC)： 1.5kV min.
・ 温度循环试验： -65℃~+175℃ 1000 cycles
+81-21-58775366-337